ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Česky English
ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Granty  > Studium polovodičových detektorů pracujících při pokojové teplotě
Studium polovodičových detektorů pracujících při pokojové teplotě

Cílem projektu je zkoumání doposud málo studovaného jevu sdílení náboje a stanovení kvality kompozitních polovodičových detektorů, a to jak jednoduchých diod tak segmentovaných stripových a pixelových struktur. Detektory budou poskytovány spolupracujícími pracovišti v rámci projektů RD50 a Medipix, na kterých členové řešitelského týmu prostřednictvím CERN participují. Řešení bude realizováno systematickým prováděním komplexních testů polovodičových detektorů. Mezi ně patří současné sledování spektrometrického signálu ze dvou elektrod, měření proudových signálů k určení časových charakteristik sběru náboje, skenování vzorku úzkým svazkem částic a DLTS měření pro jednotlivé pixely (segmenty). Při testech budou používány dostupné monochromatické zdroje záření (alfa, gama, X). Navrhovaný projekt je zaměřen na hledání korelací mezi zjištěnými nehomogenitami účinnosti detekce a nehomogenitami materiálu, příměsí a kvalitou kontaktů. Očekává se, že skenování vzorku úzkým svazkem částic a DLTS měření pro jednotlivé pixely poskytnou, v případě pixelového vzorku se zjištěnou nehomogenitou materiálu, informaci pro zjištění hlavní příčiny neuspokojivých výsledků při výrobě detektorů. Závěry experimentů zaměřených právě na studium sdílení náboje budou srovnávány s numerickými programy, které simulují pohyb náboje v polovodičích. Dále bude využito techniky koincidenční spektrometrie na dvou sousedních strukturách, která umoží studium laterální a podélné difůze náboje.

číslo
202/04/1395

trvání
1.1.2004 - 31.12.2006

koordinátor
Linhart Vladimir UTEF
řešitel

Články v impaktovaných časopisech
(7)
Tabulkový výpis
Rok

  • E. Belas, T. Slavíček, V. Linhart, R. Grill, J. Franc, P. Hlídek, P. Höschl, "Correlation of electrical and optical properties with charge collection efficiency of In-doped and In+Si co-doped CdTe", NIM A (2008)

  • A. Charbonnier, S. Charron, A. Houdayer, C. Lebel, C. Leroy, V. Linhart, S. Pospíšil, "Modified Hecht model qualifying radiation damage in standard and oxygenated silicon detectors from 10MeV protons", NIM A 576 (2007) 75–79

  • F. Dubecký, P. Boháček, M. Sekáčová, B. Zaťko, T. Lalinský, V. Linhart, J. Mudroň, S. Pospíšil, "Role of electrode metallization in performance of semi-insulating GaAs radiation detectors", NIM A 576 (2007) 87–89

  • A. Perďochová- Šagátová, F. Dubecký, V. Nečas, V. Linhart, "Etched trenches in technology of monolithic strip detectors based on semi-insulating GaAs", NIM A 563 (2006) 74–77

  • A. Perďochová- Šagátová, V. Linhart, F. Dubecký, B. Zaťko, V. Nečas, S. Pospíšil, "Experimental analysis of the electric field distribution in GaAs radiation detectors", NIM A 563 (2006) 187–191

  • V. Linhart, P. Bém, M. Gotz, M. Honusek, S. Pospíšil, E. Šimečková, "Measurements of fast-neutron-induced signals in pad detectors", NIM A 563 (2006) 263–267

  • V. Linhart, P. Bém, M. Gotz, M. Honusek, J. Mareš, T. Slavíček, B. Sopko, E. Šimečková, "Radiation damage study of GaAs detectors irradiated by fast neutrons", NIM A 563 (2006) 66–69
Hledat
10th Anniversary of IEAP