ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Česky English
ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Granty  > Studium polovodičových detektorů pracujících při pokojové teplotě
Studium polovodičových detektorů pracujících při pokojové teplotě

Cílem projektu je zkoumání doposud málo studovaného jevu sdílení náboje a stanovení kvality kompozitních polovodičových detektorů, a to jak jednoduchých diod tak segmentovaných stripových a pixelových struktur. Detektory budou poskytovány spolupracujícími pracovišti v rámci projektů RD50 a Medipix, na kterých členové řešitelského týmu prostřednictvím CERN participují. Řešení bude realizováno systematickým prováděním komplexních testů polovodičových detektorů. Mezi ně patří současné sledování spektrometrického signálu ze dvou elektrod, měření proudových signálů k určení časových charakteristik sběru náboje, skenování vzorku úzkým svazkem částic a DLTS měření pro jednotlivé pixely (segmenty). Při testech budou používány dostupné monochromatické zdroje záření (alfa, gama, X). Navrhovaný projekt je zaměřen na hledání korelací mezi zjištěnými nehomogenitami účinnosti detekce a nehomogenitami materiálu, příměsí a kvalitou kontaktů. Očekává se, že skenování vzorku úzkým svazkem částic a DLTS měření pro jednotlivé pixely poskytnou, v případě pixelového vzorku se zjištěnou nehomogenitou materiálu, informaci pro zjištění hlavní příčiny neuspokojivých výsledků při výrobě detektorů. Závěry experimentů zaměřených právě na studium sdílení náboje budou srovnávány s numerickými programy, které simulují pohyb náboje v polovodičích. Dále bude využito techniky koincidenční spektrometrie na dvou sousedních strukturách, která umoží studium laterální a podélné difůze náboje.

číslo
202/04/1395

trvání
1.1.2004 - 31.12.2006

koordinátor
Linhart Vladimir UTEF
řešitel

Články v impaktovaných časopisech
(7)
Textový výpis
Rok

Ocenění Název Autor Časopis OceněníRok
Correlation of electrical and optical properties with charge collection efficiency of In-doped and In+Si co-doped CdTe Belas E.; Slavíček T.; Linhart V.; Grill R.; Franc J.; Hlídek P.; Höschl P. NIM A 2008
Modified Hecht model qualifying radiation damage in standard and oxygenated silicon detectors from 10MeV protons Charbonnier A.; Charron S.; Houdayer A.; Lebel C.; Leroy C.; Linhart V.; Pospíšil S. NIM A 576 (2007) 75–79 2007
Role of electrode metallization in performance of semi-insulating GaAs radiation detectors Dubecký F.; Boháček P.; Sekáčová M.; Zaťko B.; Lalinský T.; Linhart V.; Mudroň J.; Pospíšil S. NIM A 576 (2007) 87–89 2007
Etched trenches in technology of monolithic strip detectors based on semi-insulating GaAs Perďochová- Šagátová A.; Dubecký F.; Nečas V.; Linhart V. NIM A 563 (2006) 74–77 2006
Experimental analysis of the electric field distribution in GaAs radiation detectors Perďochová- Šagátová A.; Linhart V.; Dubecký F.; Zaťko B.; Nečas V.; Pospíšil S. NIM A 563 (2006) 187–191 2006
Measurements of fast-neutron-induced signals in pad detectors Linhart V.; Bém P.; Gotz M.; Honusek M.; Pospíšil S.; Šimečková E. NIM A 563 (2006) 263–267 2006
Radiation damage study of GaAs detectors irradiated by fast neutrons Linhart V.; Bém P.; Gotz M.; Honusek M.; Mareš J.; Slavíček T.; Sopko B.; Šimečková E. NIM A 563 (2006) 66–69 2006
Hledat
10th Anniversary of IEAP