ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Česky English
ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Dílčí úkoly  > Radiační odolnost polovodičových detektorů
Radiační odolnost polovodičových detektorů

Cíle:
  • Poskytovat možnost definovaně radiačně poškodit polovodičové vzorky ve vysokých tocích rychlých neutronů.
  • Zajistit kalibrační metodu ověřování dávky radiačního poškození.
Princip radiačního poškození

Radiační poškozeni polovodičových detektorů je výsledkem lokální generace defektů krystalové struktury. Slovo "defekt" je obecně používáno jako kratší synonymum pro slovo "nedokonalost". Defekt proto může být jakákoli odchylka od pravidelnosti ideální krystalické mřížky v případě krystalů, nebo jakákoli odchylka od ideálního náhodného řetězce v případě amorfních látek. Defekty způsobené radiačním poškozením jsou výsledkem interakcí částic ionizujícího záření s jednotlivými atomy látky. Defekt ve formě intersticiálního atomu a vakance vznikne tehdy, kdy částice předá atomu dostatečné množství energie, aby tento atom mohl opustit svou původní polohu v krystalové mřížce (např. 25 eV v případě křemíku). Vlivem tepelných kmitů mřížky mohou tyto defekty putovat, vzájemně interagovat a tvořit vícenásobné defektní systémy (klastry). Defekty též mohou doputovat na své původní místo v krystalové mřížce. Radiační poškození se proto mění s časem. Tento jev se nazývá efekt žíhání (angl. annealing efect). Dále, i když méně pravděpodobně, mohou vznikat defekty typu příměsí jiného prvku, než ze kterého je látka původně složena. Příkladem příčiny vzniku takových defektů mohou být jaderné reakce způsobující prvkovou transmutaci.

Co způsobuje radiační poškození

Defekty způsobené nejenom radiačním poškozením mohou vytvářet v zakázaném pásu hladiny, které mohou být obsazeny nosiči náboje (resp. na kterých mohou být volné nosiče náboje zachyceny a případně též následně uvolněny). Defekty proto silně ovlivňují elektrické a detekční vlastnosti krystalů, jako např. vodivost krystalu a účinnost sběru náboje. Podrobné studium a pečlivý fyzikální popis jevů způsobených defekty umožňuje správnou identifikaci těchto defektů. Tato identifikace následně napomůže při návrhu vylepšení technologie přípravy polovodičových detektorů, aby tyto detektory měly lepší požadované vlastnosti (např. aby byly více radiačně odolné).




Řešitel
Linhart Vladimir UTEF


Články v impaktovaných časopisech
(7)
Textový výpis
Rok

Ocenění Název Autor Časopis OceněníRok
Radiation hardness properties of full-3D active edge silicon sensors Da Viá C.; Hasi J.; Kenney C.; Linhart V.; Parker S.; Slavíček T.; Watts S.; Bém P.; Horažďovský T.; Pospíšil S. NIM A 587 (2008) 243–249 2008
Modified Hecht model qualifying radiation damage in standard and oxygenated silicon detectors from 10MeV protons Charbonnier A.; Charron S.; Houdayer A.; Lebel C.; Leroy C.; Linhart V.; Pospíšil S. NIM A 576 (2007) 75–79 2007
Radiation damage study of GaAs detectors irradiated by fast neutrons Linhart V.; Bém P.; Gotz M.; Honusek M.; Mareš J.; Slavíček T.; Sopko B.; Šimečková E. NIM A 563 (2006) 66–69 2006
Development of radiation tolerant semiconductor detectors for the Super-LHC Moll M.; Chren D.; Horažďovský T.; Kohout Z.; Linhart V.; Pospíšil S.; Sopko B.; Sopko V.; Uher J.; et al. NIM A 546 (2005) 99–107 2005
Radiation-hard semiconductor detectors for SuperLHC Bruzzi M.; Chren D.; Horažďovský T.; Kohout Z.; Linhart V.; Pospíšil S.; Solar M.; Sopko B.; Uher J.; et al. NIM A 541 (2005) 189–201 2005
Recent advancements in the development of radiation hard semiconductor detectors for S-LHC Fretwurst E.; Chren D.; Horažďovský T.; Kohout Z.; Linhart V.; Pospíšil S.; Solar M.; Sopko B.; Sopko V.; Uher J.; et al. NIM A 552 (2005) 7–19 2005
Low-Energy Protons Scanning of Intentionally Partially Damaged Silicon MESA Radiation Detectors Houdayer A.; Lebel C.; Leroy C.; Linhart V.; Mareš J.; Pospíšil S.; Sopko B. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL. 51, NO. 6, PART 3, DECEMBER 2004, pp. 3838 - 3844 2004
Hledat
10th Anniversary of IEAP