ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Česky English
ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Semináře  > Charge multiplication in heavily irradiated silicon detectors
Charge multiplication in heavily irradiated silicon detectors

Datum
29.6.2010 14:00
Přednášející
Dr. Gianluigi Casse University of Liverpool - Department of Physics, Oliver Lodge Laboratory


Obsah

The discovery of the novel effect that amplifies the charge generated in heavily irradiates silicon detectors has risen hopes for further extending the lifetime of this type of sensors when expose to heavy doses of hadron irradiation. The implications and limitations of this effect are here discussed.
Hledat
10th Anniversary of IEAP