Detektory na báze objemového semiizolačného GaAs sú schopné pracovať pri izbovej teplote. Takéto detektory je možné využiť pri detekcii rôznych častíc (alfa, beta, neutróny, rtg. a gama fotóny apod.) s dobrou detekčnou účinnosťou a aj spektrometriou. Najmä pixelové detektory s malým objemom dosahujú vysokú spektrometriu s kvalitnou vyčítavacou elektronikou. Jedným z možných využití je práve oblasť digitálnej rádigrafie rtg. žiarenia, kde sa požaduje malá veľkosť pixela, aby sa dosiahlo vysoké priestorové rozlíšenie.